韩光
HDD64M72D18W
DDR SDRAM模组512Mbyte ( 64Mx72bit )的基础上, 32Mx8 , 4Banks , 8K
参考文献,与184PIN -DIMM
产品型号HDD64M72D18W
概述
该HDD64M72D18W是64M X 72位双数据速率( DDR )同步动态RAM高密度存储器
模块。该模块由18 CMOS 32M ×8位与4banks的DDR SDRAM在66pin TSOP- II封装400mil
和2K EEPROM采用8引脚TSSOP封装在一个184引脚的玻璃环氧树脂。四0.1uF的去耦电容安装在
在印刷电路板平行的每个DDR SDRAM 。该HDD64M72D18W是一个DIMM (双列直插式内存
模块) .Synchronous设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。数据I / O事务是可能的
在DQS的两边。的工作频率,可编程延迟和脉冲串长度范围允许在同一设备
要为各种高带宽,高性能存储系统的应用是有用的。所有的模块组件可
动力从单个2.5V的直流电源和所有输入和输出都SSTL_2兼容。
特点
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部分鉴定
HDD64M72D18W
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10A :
HDD64M72D18W
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13A :
HDD64M72D18W
–
13B :
为100MHz (CL = 2)的
为133MHz (CL = 2)
为133MHz (CL = 2.5)
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512MB ( 64Mx72 )无缓冲DDR基于32Mx8 DDR DIMM SDRSM
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2.5V
±
0.2V VDD和VDDQ电源
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自动&自我刷新能力( 8K周期/ 64ms的)
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所有输入和输出都与SSTL_2接口兼容
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数据(DQ ),数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入,除了数据(DQ ),数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问) : 2,2.5
- 突发长度: 2 , 4 , 8
- 数据加扰:顺序&交错
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数据(DQ ),数据选通信号和写掩码锁存时钟的上升沿和下降沿
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所有地址和控制输入,除了数据(DQ ),数据选通和数据掩码锁存时钟的上升沿
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所用设备为8M X 8位X 4Banks DDR SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV 1.0 ( August.2002 )
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韩光电器有限公司
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