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HMD16M32M8G-5 参数 Datasheet PDF下载

HMD16M32M8G-5图片预览
型号: HMD16M32M8G-5
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内容描述: 64Mbyte ( 16Mx32 ) 72针FP模式4K参考。 SIMM设计5V [64Mbyte(16Mx32) 72-pin FP Mode 4K Ref. SIMM Design 5V]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 113 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMD16M32M8G
64Mbyte ( 16Mx32 ) 72针FP模式4K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD16M32M8G
概述
该HMD16M32M8G是16兆×32动态RAM的高密度内存模块。该模块由八个CMOS
安装在一个72针,双面, FR- 4印刷电路板中的32引脚TSOPII封装16M X 4位的DRAM 。一个0.1uF的
去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块是一个单列直插
存储器模块与边缘连接,并适用于在安装到72针的边缘连接器插槽中。所有模块
组件可以从一个单一的5V直流电源供电,所有输入和输出为TTL兼容。
引脚分配
特点
wHMD16M32M8G :
4K周期/ 64ms的刷新金
w
访问次数: 50 , 60ns的
w
高密度64MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准引脚
w
FP (快速页)模式操作
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
符号
符号
符号
符号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
-5
-6
M
12
13
14
15
16
17
18
TRC
90ns
110ns
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
A11
VCC
A8
A9
NC
/RAS2
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
NC
NC
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
性能范围
速度
-5
-6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
wPart
鉴定
存在
检测引脚
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
VSS
NC
VSS
VSS
60ns
VSS
NC
NC
NC
网址:
www.hbe.co.kr
REV 。 1.0 (八月2002年)
1
韩光电器有限公司。