韩光
HMD16M36M12EG
64Mbyte （ 16Mx36 ） EDO /带奇偶校验模式4K参考。 72PIN - SIMM设计
产品型号HMD16M36M12EG
概述
该HMD16M36M12EG是16M X 36bit的动态RAM的高密度内存模块。该模块由8
32引脚SOJ或TSOP封装的CMOS 16M X 4位的DRAM和四CMOS 16Mx1bit的DRAM在SOJ或TSOP封装
安装在一个72针的玻璃环氧树脂基板上。一个0.1或0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板
每个DRAM组件。该模块是单列直插内存模块与边缘连接，适用于
安装到72针边缘连接器插座。所有的模块组件可以从一个单一的5V直流电源供电
和所有的输入和输出为TTL兼容。
特点
wPart
鉴定
HMD16M36M12EG
--- 4K周期/ 64ms的参考文献，黄金
w
访问次数： 50 ， 60ns的
w
高密度64MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准Pdpin &引出线
w
TTL兼容的输入和输出
W / CAS先接后/ RAS
&隐藏刷新功能
重量/ RAS-只
刷新功能
韦
模式操作
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
符号
VSS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
针
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
转让
符号
DQ24
DQ7
DQ25
A7
A11
VCC
A8
A9
NC
/RAS2
DQ26
DQ8
DQ17
DQ35
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/ WE
NC
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
-5
-6
M
11
12
13
14
15
16
17
18
性能范围
速度
5
6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
19
20
21
22
存在检测引脚
（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
VSS
NC
VSS
VSS
60ns
VSS
23
24
72PIN SIMM TOP
NC
NC
NC
意见
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
韩光电器有限公司。
-1-
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
