韩光
HSD16M64B8A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64位） ， SO -DIMM ，
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M64B8A
概述
该HSD16M64B8A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×8位与上一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64B8是一个SO- DIMM （小型双重内嵌式内存模块） ，并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能的存储器系统的应用程序的所有模块，组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
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部分鉴定
HSD16M64B8A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M64B8A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M64B8A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
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突发模式工作
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自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
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LVTTL兼容的输入和输出
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3.3V单电源
±0.3V
电源
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
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所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
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所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
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HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
