韩光
HMD16M64D16EV
128Mbyte （ 16Mx64 ） EDO模式4K / 8K参考。 3.3V的DIMM 168针
产品型号HMD16M64D16EV
概述
该HMD16M64D16EV是16Mx64bits动态RAM的高密度内存模块。该HMD16M64D16EV由
的16的CMOS 16Mx4bits的DRAM中TSOPІІ安装在一个168引脚的玻璃环氧基板400mil包。 A 0.1或
0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该HMD16M64D16EV是一个双在 -
直插式内存模块，并适用于安装到168引脚的边缘连接器插座
特点
w
部分鉴定
HMD16M64D16EV- ---- 4KCycles / 64ms的参考，镀金铅
HMD16M64D16EVA --- 8KCycles / 64ms的参考，镀金铅
速度
-5
-6
性能范围
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
84ns
104ns
t
HPC
20ns
25ns
w
高密度128MByte设计
w
无缓冲新的JEDEC标准提案
w
CAS先于RAS的刷新功能
w
RAS-只和隐藏刷新功能
w
单+ 3.3 ± 0.3V电源
w
EDO模式的操作。
w
LVTTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
w
访问次数： 50 ， 60ns的
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
168针DIMM
w
记号
-5
-6
w
记号
D
引脚名称
引脚名称
A0-A11
功能
地址
REF ）
A0-A12
地址
REF ）
/WE0,/WE2
/OE0,/OE2
读/写使能
OUTPUT ENABLE
SCL
NC
输入
(8k
/ CAS0 - / CAS7
COLUMN
频闪
串行时钟
无连接
DQ0-DQ63
SDA
IN / OUT数据
串行地址/数据
I / O
SA0 - SA2
地址在EEPROM
CB0 - CB7
校验位
地址
VCC
电源（ + 3.3V ）
输入
(4k
引脚名称
/ RAS0 ， / RAS2
功能
行地址选通
引脚名称
VSS
功能
地
网址：
www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
-1-
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
