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HMD1M1Z1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMD1M1Z1
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内容描述: 为1Mbit ( 1Mx1bit )快速页面模式, 1K刷新, 20针ZIP, 5V设计 [1Mbit(1Mx1bit) Fast Page Mode, 1K Refresh, 20Pin ZIP, 5V Design]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 193 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMD1M1Z1
为1Mbit ( 1Mx1bit )快速页面模式, 1K刷新, 20针ZIP, 5V设计
产品型号HMD1M1Z1
描述
该HMD1M1Z1是一个1M ×1位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了高速随机存取
存储单元
在同一行中。电源电压(+ 5V) ,访问时间( -5,-6 ),功耗(普通或低功率) ,并包
型( ZIP )
此模块的可选功能。该HMD1M1Z1有CAS先于RAS的刷新, RAS只刷新和隐藏
刷新功能。
该HMD1M1Z1针对应用进行优化的系统,该系统是必需的高密度,大容量的诸如主
存储器,用于主帧和微型计算机,个人计算机和高性能微处理器的系统。
该HMD1M1Z1提供了常见的数据和输出。
特点
w
快速页模式操作
w
CAS先于RAS的刷新功能
w
RAS-只和隐藏刷新功能
w
快速的并行测试模式功能
w
TTL ( 5V )兼容输入和输出
w
早期写或输出使能控制的写
w
提供20PIN ZIP包
w
单+ 5V ± 10 %电源
w
1024刷新周期/ 16ms的
w
性能范围
速度
HMD1M1Z1-5
HMD1M1Z1-6
t
RAC
50
60
t
CAC
15
15
t
RC
90
110
t
PC
35
40
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
引脚分配
符号
NC
/ CAS
DOUT
V
SS
DIN
/ WE
/ RAS
NC
NC
A9NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
A4
A5
A6
A7
A8
引脚说明
A0
A8
DQ0
DQ3
/ RAS
/ CAS
功能
地址输入
数据
输入/输出
行地址
频闪
COLUMN
地址选通
/ WE
VCC
VSS
NC
功能
读/写
启用
动力
(+5V)
No
连接
15
16
17
18
19
20
1
韩光电器有限公司。