韩光
HMD1M1Z1
注：1，电流Icc依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
icc的（最大）被指定在输出开状态。
2.地址可以一次或更少的改变，而/ RAS = V
IL 。
3.地址可以一次或更少的改变，而/ CAS = V
IH
电容
( T
A
= 25℃ ， VCC = 5V +/- 10 ％ ， F = 1MHz的）
符号
C
I1
C
I2
民
-
-
最大
5
7
单位
pF
pF
记
1
1,2
o
描述
输入电容（ A0 -A9 ）
输入电容（ / WE ， / RAS ， / CAS0-
/CAS3,/OE)
输入/输出电容（ DQ0-31 ）
C
DQ1
-
7
pF
1,2
注： 1，电容用Boonton的仪表或有效电容测量方法测量。
2 / CAS = VIH禁用DOUT 。
AC特性
符号
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
aa
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
( 0 C
≤
T
A
≤
70℃ ， VCC = 5V ±10 ％ ，V
IH
/V
IL
= 2.4/0.8V, V
OH
/V
OL
= 2.4 / 0.4V ，见注释1,2 ）
-5
-6
单位
民
最大
民
110
130
50
15
25
0
3
30
50
15
50
15
20
15
5
0
10
0
10
25
0
10K
35
25
10K
12
50
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
10K
45
30
10K
60
15
30
12
50
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
6
2
90
110
记
o
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
访问时间从/ RAS
从/ CAS访问时间
从列地址访问时间
输出缓冲器关断时间
转换时间（上升和下降）
/ RAS预充电时间
/ RAS脉冲宽度
/ RAS保持时间
/ CAS保持时间
/ CAS脉冲宽度
/ RAS到/ CAS的延迟时间
/ RAS到列地址的延迟时间
/ CAS到/ RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址设置时间
列地址保持时间
列地址到/ RAS交货时间
READ命令设置时间
3
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
