韩光
HMD1M32M2EG
4Mbyte （ 1Mx32 ） EDO模式， 1K刷新， 72PIN SIMM ， 5V设计
产品型号HMD1M32M2EG
描述
该HMD1M32M2EG是一个1M ×32位，组装2张1米x 16位的DRAM动态RAM模块
42引脚SOJ封装在单侧面与去耦电容的印刷电路板。该HMD1M32M2EG是
对于应用到系统，这需要高密度和大容量等的主存储器优化
计算机和图像存储系统，以及其他的，它们是，所需的尺寸紧凑。
该HMD1M32M2G提供了常见的数据和输出。
特点
w
部分鉴定方法
-
HMD1M32M2EG
–
黄金板块铅
w
72引脚单列直插封装
w
EDO模式功能
w
单+ 5V ± 0.5V电源
w
快速访问时间&循环时间
TRAC
HMD1M32M2EG-45
HMD1M32M2EG-50
HMD1M32M2EG-60
w
低功耗
主动： 1870 / 1650 / 1430兆瓦（ MAX）
待机： 11mW的（ CMOS电平： MAX ）
w
/ RAS只刷新， / CAS前/ RAS刷新，
隐藏刷新功能
w
所有输入和输出TTL兼容
w
1024刷新周期/ 16ms的
45
50
60
大隘社
13
15
17
TRC
69
84
104
THPC
16
20
25
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
功能
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写使能
引脚分配
符号
VSS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
针
PD1
–
PD4
VCC
VSS
NC
-
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
/RAS2
NC
NC
NC
NC
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
NC
NC
/ WE
NC
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
功能
设备检测
电源（+ 5V）的
地
无连接
-
韩光电器有限公司
.
符号
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚说明
针
A0
–
A9
DQ0
–
DQ31
/ RAS0 ， / RAS2
/ CAS0 - / CAS3
/ WE
网址： www.hbe.co.kr
REV 。 1.0 （八月2002年）
-1-
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
