韩光
HMD4M64D16EV
32Mbyte （ 4Mx64 ） EDO模式4K参考。 3.3V的DIMM 168针
产品型号HMD4M64D16EV
概述
该HMD4M64D16EV是4Mx64bits动态RAM的高密度内存模块。该HMD4M64D16EV由
16的CMOS 4Mx4bits的DRAM中SOJ / TSOPІІ 400mil软件包安装在一个168引脚的玻璃环氧基板。 A 0.1或
0.22uF去耦电容器安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该HMD4M64D16EV是一个双在 -
直插式内存模块，并适用于安装到168引脚的边缘连接器插座
特点
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部分鉴定
HMD4M64D16EV --- 4KCycles / 64ms的参考，镀金铅
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高密度32MByte设计
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无缓冲新的JEDEC标准提案
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CAS先于RAS的刷新功能
w
RAS-只和隐藏刷新功能
w
单+ 3.3 ± 0.3V电源
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EDO模式的操作。
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LVTTL兼容的输入和输出
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FR4 - PCB设计
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访问次数： 50 ， 60ns的
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
168针DIMM
w
记号
-5
-6
w
记号
D
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
18ns
20ns
t
RC
84ns
104ns
t
HPC
20ns
25ns
引脚名称
引脚名称
A0-A11
功能
地址
REF ）
A0-A12
地址
REF ）
/W0,/W2
/OE0,/OE2
SA0
–
SA2
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址在EEPROM
SCL
DU
CB0 - CB7
输入
(8k
/ CAS0 - / CAS7
输入
(4k
引脚名称
/ RAS0 ， / RAS2
ROW
频闪
COLUMN
频闪
串行时钟
不要使用
校验位
VCC
SDA
DQ0-DQ63
电源（ + 3.3V ）
串行地址/数据I / O
IN / OUT数据
地址
NC
无连接
功能
地址
引脚名称
VSS
地
功能
l
SA0 - SA2 ， SCL ， CB0 - CB7 ， SDA将用于奇偶校验模式。不使用这种模式。
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
