韩光
HMD8M36M18G
32Mbyte ( 8Mx36 ) 72针FP带奇偶校验模式2K参考。 SIMM设计5V
产品型号HMD8M36M18 , HMD8M36M18G
概述
该HMD8M36M18G是8M X 36bit的动态RAM的高密度内存模块。该模块由16
CMOS 4M X 4位DRAM采用24引脚SOJ封装和两个CMOS 4MX 4位四CAS DRAM的28PIN封装SOJ
安装在一个72针,双面, FR- 4印刷电路板。
一个0.1或0.22uF的去耦电容安装在
印刷电路板上为每个DRAM组件。该模块采用边缘连接的单列直插式内存模块
并且是用于在安装到72针的边缘连接器插槽中。所有模块的组件可以由一个单一的电
5V直流电源和所有输入和输出为TTL兼容。
引脚分配
特点
w
部分鉴定
HMD8M36M18 ---- 2048周期/ 32ms的参考。焊料中的铅
HMD8M36M18G-- 2048周期/ 32ms的参考。金铅
w
访问次数: 50 , 60ns的
w
高密度32MByte设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
JEDEC标准PDpin和引脚
w
快速页与校验工作模式
w
/ CAS先接后/ RAS刷新功能
重量/ RAS-只
和隐藏刷新功能
w
TTL兼容的输入和输出
w
FR4 - PCB设计
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
-5
-6
M
14
15
16
17
18
符号
VSS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
针
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
NC
VCC
A8
A9
NC
NC
DQ26
DQ8
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
Symbo
L
DQ17
DQ35
VSS
/CAS0
/CAS2
/CAS3
/CAS1
/RAS0
/RAS1
NC
/ WE
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
针
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
选项
w
定时
为50ns存取
60ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
存在检测引脚
(可选)
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50ns
NC
VSS
VSS
VSS
60ns
NC
VSS
NC
NC
SIMM
顶视图
性能范围
速度
5
6
TRAC
50ns
60ns
大隘社
13ns
15ns
TRC
90ns
110ns
注意: A11仅用于4K价。
网址: www.hbeoc.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
-1-
韩光电器有限公司。