欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HMD8M64D8A-13 参数 Datasheet PDF下载

HMD8M64D8A-13图片预览
型号: HMD8M64D8A-13
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 8Mx64bit ) , DIMM , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 64Mbyte (8Mx64bit),DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 84 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
 浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMD8M64D8A-13的Datasheet PDF文件第10页  
韩光
HSD8M64D8A
注意事项:
1. OP代码:操作数代码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 :程序键。 ( @太太)
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 :银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读,写,行积极和预充电,银行A被选中。
如果两个BA0是"Low"和BA1是"High"在读,写,行积极和预充电,选择B银行。
如果两个BA0是"High"和BA1是"Low"在读,写,行积极和预充电, C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读,写,行积极和预充电,银行D被选中。
如果A10 / AP是"High"于行预充电, BA0和BA1被忽略,所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电,无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿(写入DQM延迟为0) ,
但数据超出2 CLK周期后,使Hi-Z状态。 (读DQM延迟2 )
时序图
请参阅所附的时序图图(II)的
包装信息
单位
:
mm
前视图
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
- 9
-
韩光电器有限公司。