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HMF1M32F2VA-70 参数 Datasheet PDF下载

HMF1M32F2VA-70图片预览
型号: HMF1M32F2VA-70
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内容描述: 闪存ROM模块4MByte ( 1Mx32Bit ) , 80Pin - SMM , 3.3V设计 [Flash-ROM Module 4MByte (1Mx32Bit), 80Pin-SMM, 3.3V Design]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 12 页 / 426 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
擦除和编程性能
范围
参数
分钟。
扇区擦除时间
芯片擦除时间
字节编程时间
芯片编程时间
-
-
-
典型值。
0.7
25
9
18
300
54
马克斯。
15
美国证券交易委员会
美国证券交易委员会
µs
美国证券交易委员会
单位
HMF1M32F2VA
评论
排除00H编程
对擦除之前
不包括系统级
架空
TSOP电容
参数
符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
参数
描述
输入电容
输出电容
控制引脚电容
o
测试设置
V
IN
= 0
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
6
8.5
7.5
最大
7.5
12
9
单位
pF
pF
pF
笔记
:测试条件牛逼
A
= 25°C , F = 1.0兆赫。
测试规范
测试条件
输出负载
输出负载电容,C
L
(包括夹具电容)
输入上升和充分倍
输入脉冲电平
输入定时测量参考电平
输出时序测量参考电平
30
5
0.0-3.0
1.5
1.5
70R, 80
1TTL门
100
pF
ns
V
V
V
90, 120
单位
AC特性
u
只读操作特性
参数
符号
描述
JEDEC标准
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
RC
t
t
CE
t
OE
t
DF
t
DF
t
QH
读周期时间
地址输出延迟
芯片使能到输出延迟
芯片使能到输出延迟
芯片使能输出高-Z
输出使能到输出高阻
输出保持时间从地址,
/ CE和/ OE ,先到为准
/ CE = V
IL
/ OE = V
IL
/ OE = V
IL
最大
最大
最大
最大
最大
测试设置
-70R
70
70
70
30
25
25
-80
80
80
80
30
25
25
0
-90
90
90
90
35
30
30
-120
120
120
120
35
30
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
速度选项
单位
网址:
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
4
韩光科贸有限公司