韩光
HMF2M32F4VA
闪存ROM模块现象8字节（ 2Mx32Bit ） ， 80Pin - SMM ， 3.3V设计
产品型号HMF2M32F4VA
概述
该HMF2M32F4VA是只读组织在存储器（ FROM ）含有2,097,152字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由四个1M ×16从安装在一个80引脚的可堆叠式，双 - 双面， FR4-
印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以G等低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3.0V直流电源供电，所有输入和输出都
LVTTL兼容。
特点
引脚分配
w
部分鉴定
- HMF2M32F4VA ：插座5毫米
w
访问时间： 80 ， 90 ，为120ns
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3.0V
±
0.3V电源
w
所有的输入/输出LVTTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
80针设计制作
40引脚细间距连接器（X 2EA ）
w
最低百万写入/擦除周期
w
部门架构删除
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
符号
VCC
/CE0
NC
NC
NC
RY_ / BY
VSS
/ RESET
/ WE
A19
A8
A9
A10
VSS
A11
A12
A13
A14
A15
VCC
P1
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
符号
VCC
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
VSS
DQ5
DQ12
DQ4
DQ11
DQ3
DQ10
VSS
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
VCC
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
VCC
DQ16
DQ24
DQ17
DQ25
DQ18
VSS
DQ26
DQ19
DQ27
DQ20
DQ28
DQ21
VSS
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VCC
P2
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
符号
VCC
NC
NC
/ BYTE
/ OE
/CE1
VSS
A16
A0
A18
A17
A7
A6
VSS
A5
A4
A3
A2
A1
VCC
选项
w
定时
80ns的访问
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
80针SMM
记号
-80
-90
-120
12
13
14
15
16
17
F
18
19
20
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
