韩光
HMF4M32M4GL
FLASH- ROM模块16兆字节（ 4M ×32位） ， 72引脚SIMM ， 5V
产品型号HMF4M32M8GL
概述
该HMF4M32M8GL是只读组织在存储器（ FROM ）含有4,194,304字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由8米x 8位从安装在一个72针，单面FR4印刷电路
板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写
周期也在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的
设备类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
四个芯片使能输入（ / WE0 ， / WE1 ， / WE2 ， / WE3 ）用于独立地使该模块的8位。输出使能
（ / OE）和写允许（ / WE）可以设置存储器的输入和输出。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低能源
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源供电，所有输入和输出都与TTL
兼容。
特点
w
访问时间： 75 ， 90和120ns的
w
高密度的16兆字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低1,000,000写入/擦除周期
w
行业擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除离子
w
所使用的设备是MX29F016
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
-75
-90
-120
19
20
21
22
23
M
24
VSS
/世行
E1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/WE0
引脚分配
符号
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/WE2
NC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/WE3
NC
/ RESET
A19
/ OE
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
/BANK-E0
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A20
A21
VSS
/ RY_BY
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
/WE1
NC
DQ16
选项
w
定时
75ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
72引脚的SIMM
顶视图
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
