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    HMF4M32M8VGL-120 参数 Datasheet PDF下载

    HMF4M32M8VGL-120图片预览
    型号： HMF4M32M8VGL-120
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 闪存ROM模块16兆字节（ 4Mx32Bit ） ， 72PIN - SIMM ， 3.3V设计 [Flash-ROM Module 16MByte (4Mx32Bit), 72Pin-SIMM, 3.3V Design]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 11 页 / 428 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMF4M32M8VGL-120的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    输入定时测量参考电平
    输出时序测量参考电平
    HMF4M32M8VGL
    1.5
    1.5
    V
    V
    5.0V
    2.7kΩ
    设备
    下
    TEST
    C
    L
    IN3064
    或同等学历
    6.2kΩ
    二极管= IN3064
    或同等学历
    记
    : C
    L
    = 100pF的包括夹具电容
    u
    擦除/编程操作
    参数符号
    描述
    JEDEC
    t
    AVAV
    t
    AVWL
    t
    WLAX
    t
    DVWH
    t
    WHDX
    标准
    t
    WC
    t
    AS
    t
    AH
    t
    DS
    t
    DH
    t
    OES
    t
    GHWL
    t
    ELWL
    t
    WHEH
    t
    WLWH
    t
    WHWL
    t
    WHWH1
    t
    WHWH2
    t
    GHWL
    写
    t
    CS
    t
    CH
    t
    WP
    t
    WPH
    t
    WHWH1
    t
    WHWH2
    t
    VCS
    / CE建立时间
    / CE保持时间
    把脉冲宽度
    写脉冲宽高
    字节编程操作
    扇区擦除操作（注1）
    VCC成立时间
    民
    民
    民
    民
    典型值
    典型值
    民
    35
    35
    30
    9
    0.7
    50
    0
    0
    35
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    µs
    美国证券交易委员会
    µs
    写周期时间
    地址建立时间
    地址保持时间
    数据建立时间
    数据保持时间
    输出使能设置时间
    阅读恢复时间之前，
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    民
    45
    35
    45
    35
    0
    0
    0
    ns
    70R
    70
    80
    80
    0
    45
    45
    50
    50
    90
    90
    120
    120
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    速度选项
    单位
    笔记
    ： 1 。这不包括预编程时间
    2 。这个时间是只对扇区保护操作
    网址：
    www.hbe.co.kr
    REV.02(August,2002)
    5
    韩光科贸有限公司

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