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HMF51232M4V-90 参数 Datasheet PDF下载

HMF51232M4V-90图片预览
型号: HMF51232M4V-90
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内容描述: FLASH- ROM模块2MByte ( 512K ×32位) [FLASH-ROM MODULE 2MByte (512K x 32-Bit)]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 11 页 / 420 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMF51232M4V
FLASH- ROM模块2MByte ( 512K ×32位)
产品型号HMF51232M4V
概述
该HMF51232M4V是只读存储器( FROM )包含组织在x32bit 524,288字模块高速闪存
配置。该模块包括四个512Kx 8从装在一个72针,单面, FR-4印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机,它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
四个芯片使能输入( / CE_UU1 , / CE_UM1 , / CE_LM1 , / CE_LL1 )用于独立地使该模块的4个字节。
输出使能( / OE )和写使能( / WE)可以设置内存的输入和输出。
当从模块被禁止状态时,模块是变功率待机模式中,系统设计者可以得到低功耗
设计。
所有的模块组件可以从一个单一的+ 3V直流电源供电,所有输入和输出为TTL兼容。
特点
w
访问时间: 55,70 , 90和120ns的
w
高密度2MByte设计
w
高可靠性,低功耗设计
w
+ 3V单
±
0.3V电源
w
易内存扩展
WALL
输入和输出与TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
部门架构删除
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
w
部分鉴定
HMF51232M4V :镀金铅
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
符号
VSS
A3
A2
A1
A0
VCC
A11
/ OE
A10
VCC
NC
/CE_LL1
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
/ WE
A17
A14
A13
引脚分配
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
VCC
DQ8
DQ9
DQ10
NC
VCC
/CE_LM1
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
A18
A16
VSS
A6
VCC
A5
A4
VCC
NC
/CE_UM1
DQ23
DQ16
72引脚的SIMM
顶视图
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ17
DQ18
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
VCC
A15
A12
A7
VCC
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
NC
/CE_UU1
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
VSS
选项
w
定时
55ns存取
为70ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
记号
- 55
- 70
- 90
- 120
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72引脚的SIMM
M
功能框图
网址:
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
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韩光科贸有限公司