韩光
HMF8M32M8GL
FLASH- ROM模块32MByte （ 8M ×32位）
产品型号HMF8M32M8GL
概述
该HMF8M32M8GL是只读组织在存储器（ FROM ）含有8,388,608字模块高速闪存
x32bit配置。该模块由8大4M x 8位从安装在一个72针，双面， FR4印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。该模块是2个银行主办，含4Mx32bit ，银行每家银行
选择是选择银行- E0 ，银行-E1输入。字节写使能输入（ / WE0 ， / WE1 ， / WE2 ， / WE3 ）是用来使
模块的8位独立。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。当从
模块禁用状态模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗设计。所有
模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源供电，所有输入和输出为TTL兼容。
特点
w
访问时间： 75 ， 90和120ns的
w
高密度32MByte设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
行业擦除架构
w
行业组保护
w
临时业集团解除保护
w
所使用的设备是AM29F032B
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
-75
-90
-120
17
18
19
20
21
M
22
23
24
引脚分配
符号
VSS
/世行
E1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VCC
DQ7
/WE0
RY- / BY
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
/WE1
NC
DQ16
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
VCC
DQ22
DQ23
/WE2
NC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VSS
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
/WE3
NC
/ RESET
A19
/ OE
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
/BANK-E0
A18
A17
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
VCC
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
A20
A21
VSS
选项
w
定时
75ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
记号
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
