韩光
HMF8M8M4G
FLASH- ROM模块现象8字节（ 8M ×8位）
产品型号HMF8M8M4G
概述
该HMF8M8M4G是只读存储器（ FROM ）包含组织在x8bit 8,388,608字模块高速闪存
配置。该模块由四个2M ×8从装在一个72针，单面， FR4印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
四个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3 ， / CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）
和写使能（ / WE）可以设置存储器的输入和输出。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 5V直流电源供电，所有输入和输出都与TTL
兼容。
特点
w
部分鉴定
- HMF8M8M4
（电镀锡铅）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
- 70
- 90
-120
19
20
21
22
23
72引脚的SIMM
M
24
VSS
/CE0
/CE1
/CE2
/CE3
VCC
/ WE
/ OE
引脚分配
符号
针
25
26
27
28
29
30
31
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33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
A15
A16
A17
A18
A19
VCC
A20
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
VSS
DQ7
/RY_BY0
/RY_BY1
/RY_BY2
VCC
/RY_BY3
NC
NC
NC
72引脚的SIMM
顶视图
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
- HMF8M8M4G （镀金铅）
w
访问时间： 70 ， 90 ，为120ns
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
+ 5V单
±
0.5V电源
w
易内存扩展
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
FR4 - PCB设计
w
低调72针SIMM
w
最低百万写入/擦除周期
w
灵活的部门架构
w
嵌入式算法
w
擦除暂停/删除恢复
/ RESET
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
选项
w
定时
为70ns存取
为90ns存取
120ns的访问
w
套餐
记号
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
