韩光
HMF8M16F8VS
FLASH- ROM模块16兆字节（ 8M ×16位） ， SMM 80Pin
产品型号HMF8M16F8VS
概述
该HMF8M16F8VS是只读举办的存储器（ FROM ）含有8,388,608字模块高速闪存
x16bit配置。该模块包括八个2M ×8从装在一个80引脚， MMC接口FR4印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3V直流电源供电，所有输入和输出都LVTTL-
兼容。
引脚分配
特点
w
部分鉴定
HMF8M16F8VS
（底部启动块配置）
w
访问时间： 90 ， 100 ，为120ns
w
高密度的16兆字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3V至3.6V电源供电
w
80引脚设计
40引脚， 0.8毫米细间距连接器P1 ， P2
w
最少100,000次写周期保证
每个扇区
w
10年的数据保存在85摄氏度
w
灵活的部门架构
w
嵌入式算法
w
擦除暂停/删除恢复
6
7
8
9
10
11
12
13
- 90
-100
16
120ns的访问
w
套餐
SMM 80针
F
19
20
A15
VCC
39
40
DQ0
VCC
19
20
NC
VCC
39
40
A1
VCC
-120
17
18
A13
A14
37
38
DQ1
DQ8
17
18
NC
NC
37
38
A3
A2
A12
36
DQ9
16
NC
36
A4
14
15
100ns的访问
RY_BY *
VSS
复位*
我们*
A19
A8
A9
A10
VSS
A11
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
DQ13
VSS
DQ5
DQ12
DQ4
DQ11
DQ3
DQ10
VSS
DQ2
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
CE5*
VSS
CE6*
CE7*
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
CE0*
VSS
A16
A0
A18
A17
A7
A6
VSS
A5
针
1
2
3
4
5
符号
VCC
NC
NC
NC
NC
P1
针
21
22
23
24
25
符号
VCC
DQ15
DQ7
DQ14
DQ6
针
1
2
3
4
5
符号
VCC
CE1*
CE2*
CE3*
CE4*
P2
针
21
22
23
24
25
符号
VCC
NC
NC
BYTE *
OE *
选项
w
定时
为90ns存取
记号
功能框图
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
