韩光
HMF8M8F4VS
FLASH- ROM模块现象8字节（ 8M ×8位） ， SMM 80Pin
产品型号HMF8M8F4VS
概述
该HMF8M8F4VS是只读存储器（ FROM ）包含组织的x8bit 8,388,608字节模块高速闪存
配置。该模块包括四个2M ×8从装在一个80针， SMM的连接器FR-4印刷电路板。
命令被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。
寄存器的内容作为输入到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期
还在内部锁存地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的设备是
类似于从12.0V闪存或EPROM器件读取。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。主机系统可以检测到一个程序或
擦除操作完成，通过观察就绪引脚，或读DQ7 （数据＃投票）和DQ6 （切换）状态位。
当从模块被禁止状态，模块正在成为功耗待机模式，系统设计人员可以得到低功耗
设计。所有的模块组件可以从一个单一的+ 3V直流电源供电，所有输入和输出都LVTTL-
兼容。
引脚分配
特点
w
部分鉴定
HMF8M8F4VS （底部启动块配置）
w
访问时间： 90 ， 100 ，为120ns
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，低功耗设计
w
单+ 3V至3.6V电源供电
w
80引脚设计
40引脚， 0.8毫米细间距连接器P1 ， P2
w
最少100,000次写周期保证
每个扇区
w
10年的数据保存在85摄氏度
w
灵活的部门架构
w
嵌入式算法
w
擦除暂停/删除恢复
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
选项
w
定时
为90ns存取
100ns的访问
120ns的访问
w
套餐
SMM 80针
F
- 90
-100
-120
记号
12
13
14
15
16
17
18
19
20
A9
A10
VSS
A11
A12
A13
A14
A15
VCC
32
33
34
35
36
37
38
39
40
DQ3
NC
VSS
DQ2
NC
DQ1
NC
DQ0
VCC
12
13
14
15
16
17
18
19
20
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
32
33
34
35
36
37
38
39
40
A7
A6
VSS
A5
A4
A3
A2
A1
VCC
符号
VCC
A20
NC
NC
NC
/ RY_BY
VSS
/ RESET
/ WE
A19
A8
P1
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
符号
VCC
NC
DQ7
NC
DQ6
NC
VSS
DQ5
NC
DQ4
NC
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
符号
VCC
/CE1
/CE2
/CE3
NC(/CE4)
NC(/CE5)
VSS
NC(/CE6)
NC(/CE7)
NC
NC
P2
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
符号
VCC
NC
NC
NC
/ OE
/CE0
VSS
A16
A0
A18
A17
网址：
www.hbe.co.kr
REV.02(August,2002)
1
韩光科贸有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
