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HMN1288DV-120I 参数 Datasheet PDF下载

HMN1288DV-120I图片预览
型号: HMN1288DV-120I
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内容描述: 非易失性SRAM模块为1Mbit ( 128K ×8位) , 32引脚DIP, 3.3V [Non-Volatile SRAM Module 1Mbit (128K x 8-Bit), 32Pin-DIP, 3.3V]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 98 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMN1288DV
非易失性SRAM模块为1Mbit ( 128K ×8位) , 32引脚DIP, 3.3V
产品型号HMN1288DV
概述
该HMN1288DV非易失SRAM是由8位, 131,072字节, 1,048,576位静态RAM 。
该HMN1288DV具有自含锂的能量源提供可靠的非-volatility再加上无限
编写标准的SRAM和积分控制电路,连续监视单个3.3V ,供应周期的输出
超差情况。当这种情况发生时,锂电池是自动打开,以维持
在内存中,直到V后
CC
返回有效的,写保护将无条件使能,防止乱码数据。此外
这些SRAM无条件写保护,以防止意外的写入操作。此时的积分能量
源通维持内存中,直到V后
CC
返回有效。
该HMN1288DV采用极低的待机电流的CMOS SRAM
’s,
再加上小钮扣锂电池,提供
非易失性不长写周期时间,并与EEPROM相关的写周期的限制。
特点
w
访问时间: 70 , 85 , 120 , 150纳秒
w
高密度设计: 1Mbit的设计
w
电池内部隔离,直到通电
w
业界标准的32引脚128K ×8引脚排列
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电自动写保护
周期
w
数据掉电时自动保护
w
传统的SRAM操作;没有写次数限制
NC
引脚分配
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
NC
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/ OE
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
- 70
- 85
-120
-150
32 -PIN密封封装
网址: www.hbe.co.kr
1.0版( 2004年6月)
1
韩光电器有限公司
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