韩光
HMN12816D
非易失性SRAM模块的2Mbit （ 128K ×16位） ， 40PIN DIP， 5V
产品型号HMN12816D
概述
该HMN12816D 128K ×16的非易失性SRAM的是2097152位全静态的，非易失性SRAM的，有组织的
131,072字由16位。每个NVSRAM有一个自包含锂电池及控制电路，
不断地监视VCC为超差的情况。当这种情况发生时，锂能量源是
自动接通，写保护将无条件使能，防止数据被破坏。 DIP封装
HMN12816D设备可以代替它利用一个构建非易失性128Kx16存储解决方案中使用
各种分立元件。有上可以执行的写循环的次数并没有额外的任何限制
支持电路所需的微处理器接口。
该HMN12816D采用极低的待机电流的CMOS SRAM的，再加上小钮扣锂电池，提供非
波动不长写周期时间，并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
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访问时间： 70 ， 85 ， 120 ，为150ns
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高密度设计： 256Kbyte的设计
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电池内部隔离，直到通电
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业界标准的40引脚128K ×16的引脚
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没有写次数限制
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数据保留在没有V的
CC
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在断电情况下的10年最低数据保留
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在上电/掉电自动写保护
周期
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数据掉电时自动保护
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传统的SRAM操作;没有写次数限制
引脚分配
/ CEU
/ CEL
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VSS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
/ OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
VCC
/ WE
A16
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
VSS
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
选项
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定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
- 70
- 85
-120
-150
40引脚封装的封装
网址： www.hbe.co.kr
修订版0.0 （ 2002年4月）
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韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
