韩光
HMN12816D
功能说明
两者/ CEU的HMN12816D设备上执行一个读周期时/ WE （写使能）处于非活动状态（高） ，要么/或
/ CEL （芯片使能）有效（低）和/ OE （输出使能）有效（低电平） 。由17指定的唯一地址
地址输入（ A0 - A16）定义了数据的131,072字的访问。中/ CEU和/ CEL状态
确定是否所有被寻址的字的全部或部分被访问。如果/ CEU是活性与/ CEL的不活动的，那么只有在上
被寻址的字的字节被访问。如果/ CEU是不活动的有/ CEL的活性，那么只有较低的寻址字节
字被存取。如果两个/ CEU和/ CEL输入是有效（低电平） ，则整个16位字被访问。有效的数据会
提供给内吨的16个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
即/ CEU ， / CEL和/ OE访问时间还纳。如果/ CEU ， / CEL ，和/ OE访问时间不满意，那么数据
访问必须从后面出现的信号测量，并且限制参数是任一吨
CO
为/ CEU ， / CEL ，或T
OE
为
/ OE ，而不是地址的访问。
该HMN12816D设备上执行时/我们要么/两者/ CEU或/ CEL活跃（低点），之后写周期
地址输入是稳定的。由17地址输入（ A0 - A16 ）指定的唯一的地址定义了在131,072的
数据字进行访问。中/ CEU和/ CEL的状态决定是否所有的文字处理或部分是
访问。如果/ CEU是活跃/ CEL处于非活动状态，那么解决单词仅高字节访问。如果/ CEU是
处于非活动状态与/ CEL活性，那么只有较低的寻址字的字节被访问。如果两个/ CEU和/ CEL输入
被激活（低电平），则整个16位字被访问。写周期是由/ CEU较早上升沿终止
和/或/ CEL ，或者我们。所有地址输入必须保持有效的在整个写周期。 /我们必须返回到高状态
最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在/ OE控制信号应保持无效（高）
在写周期，以避免总线竞争。但是，如果启用输出驱动器（ / CEU和/或/ CEL ，和/ OE激活）
那么/我们将禁用吨的输出
ODW
从它的下降沿。
引脚说明
A
0
-A
16
：地址输入
/ CEU ：芯片使能高字节
/ CEL ：芯片使能低字节
DQ
0
-DQ
15
：数据输入/输出的数据
/ WE ：写使能
/ OE ：输出使能
V
CC
： + 5V电源
V
ss
：地面
/ CEL
/ CEU
/ OE
/ WE
框图
2× 128K ×8
SRAM
块
动力
/ CEL
A
0
-A
16
DQ
0
-DQ15
/ CEU
动力
–
失败
控制
锂
CELL
V
CC
网址： www.hbe.co.kr
修订版0.0 （ 2002年4月）
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韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
