韩光
HMN1M8DVN
功能说明
该HMN1M8DVN执行一个读周期时/ WE为无效（高）和/ CE为有效（低电平） 。由指定的地址
地址输入（A
0
-A
19
）定义其中的1,048,576字节的数据进行访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号后是稳定的。
当功率是有效的，则HMN1M8DVN用作标准CMOS SRAM中。在断电和上电周期，
该HMN1M8DVN作为非易失性存储器时，自动保护和保存在存储器中的内容。
该HMN1M8DVN处于写模式时的/ WE和/ CE信号在地址后的有效（低电平）状态
输入是稳定的。 / CE或后期出现下降沿/ WE将确定写周期的开始。在写周期
由/ CE和/ WE的早期上升沿终止。所有地址输入必须保持有效的在整个写周期。
/我们必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
）另一个循环之前可以启动。在/ OE控制
信号应保持无效（高）在写周期，以避免总线竞争。然而，如果输出总线被启用
（ / CE和/ OE激活），则/我们将禁用T中的输出
ODW
从它的下降沿。
该HMN1M8DVN提供全功能能力的Vcc大于3.0 V和写保护，通过2.8 V的标称。
掉电/上电控制电路持续监测Vcc电源的电源故障检测阈值V
PFD
。当
V
CC
下降到低于V
PFD
阈值时，会自动SRAM写保护数据。所有输入到RAM中成为
“别
关心“，所有输出为高阻抗。作为Vcc的下降到低于大约2.5V时，电源开关电路连接
锂电池的能量索里到RAM中保留的数据。在上电期间，当Vcc以上升高大约2.5伏的电源
开关电路连接外部的Vcc的RAM和断开锂电池的能量来源。可以正常RAM操作
恢复Vcc超过3.0伏之后。
框图
引脚说明
/ OE
/ WE
2× 512K ×8
SRAM
块
动力
A
0
-A
19
DQ
0
-DQ
7
A
0
-A
19
：地址输入
/ CE ：芯片使能
V
SS
：地面
DQ
0
-DQ
7
：数据输入/输出
/ CE
CON
/ WE ：写使能
/ CE
A
19
动力
–
失败
控制
锂
CELL
V
CC
/ OE ：输出使能
V
CC
：电源（ + 3.3V ）
NC ：无连接
杜：不要使用。
网址： www.hbe.co.kr
Rev.0.0
（1月/ 2003 ）
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韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
