欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HMN28D-150I 参数 Datasheet PDF下载

HMN28D-150I图片预览
型号: HMN28D-150I
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 非易失性SRAM模块16Kbit的( 2K ×8位) , 24针DIP , 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 16Kbit (2K x 8-Bit), 24pin DIP, 5V]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 171 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
 浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN28D-150I的Datasheet PDF文件第9页  
韩光
HMN28D
非易失性SRAM模块16Kbit的( 2K ×8位) , 24针DIP , 5V
产品型号HMN28D
概述
该HMN28D有16,384位,全静态非易失性SRAM的组织为2,048字节由8位。每个NVSRAM有
自带锂电池的能量源和控制电路,它不断地监视VCC为超差的情况。
当这种情况发生时,锂电池便自动打开和写入保护
无条件使能,防止数据被破坏。该HMN28D设备可以替代现有的2K ×8 SRAM的的使用
直接符合流行的字节宽24引脚DIP标准。有在写循环的次数没有限制,可以
被执行,并且不需要额外的支持电路所需的微处理器接口。
该HMN28D采用极低的待机电流的CMOS SRAM的,再加上小钮扣锂电池,提供非
波动不长写周期时间,并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间: 70 , 85 , 120和为150ns
w
高密度设计: 2K字节的设计
w
电池内部隔离,直到通电
w
JEDEC标准的24引脚DIP封装
w
低功耗CMOS
w
无限的写入周期
w
数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电自动写保护
周期
w
数据掉电时自动保护
w
传统的SRAM操作;没有写次数限制
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
/ WE
/ OE
A10
/ CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
-70
-85
-120
-150
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年4月)
1
韩光电器有限公司