韩光
HMN28D
非易失性SRAM模块16Kbit的( 2K ×8位) , 24针DIP , 5V
产品型号HMN28D
概述
该HMN28D有16,384位,全静态非易失性SRAM的组织为2,048字节由8位。每个NVSRAM有
自带锂电池的能量源和控制电路,它不断地监视VCC为超差的情况。
当这种情况发生时,锂电池便自动打开和写入保护
无条件使能,防止数据被破坏。该HMN28D设备可以替代现有的2K ×8 SRAM的的使用
直接符合流行的字节宽24引脚DIP标准。有在写循环的次数没有限制,可以
被执行,并且不需要额外的支持电路所需的微处理器接口。
该HMN28D采用极低的待机电流的CMOS SRAM的,再加上小钮扣锂电池,提供非
波动不长写周期时间,并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
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访问时间: 70 , 85 , 120和为150ns
w
高密度设计: 2K字节的设计
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电池内部隔离,直到通电
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JEDEC标准的24引脚DIP封装
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低功耗CMOS
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无限的写入周期
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数据保留在没有V的
CC
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在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电自动写保护
周期
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数据掉电时自动保护
w
传统的SRAM操作;没有写次数限制
引脚分配
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
A9
/ WE
/ OE
A10
/ CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
24引脚密封封装
选项
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定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
-70
-85
-120
-150
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年4月)
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韩光电器有限公司