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HMN328D-150 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMN328D-150
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内容描述: 非易失性SRAM模块256Kbit ( 32K ×8位) , 28PIN DIP , 5V [Non-Volatile SRAM MODULE 256Kbit (32K x 8-Bit),28Pin DIP, 5V]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 157 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMN328D
非易失性SRAM模块256Kbit ( 32K ×8位) , 28PIN DIP , 5V
产品型号HMN328D
概述
该HMN328D非易失性SRAM是由8位, 32,768字节, 262,144位静态RAM 。
该HMN328D具有自包含的锂电池提供可靠的非挥发性再加上无限的写
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个5V电源是否超出OF-周期
宽容的条件。当这种情况发生时,锂电池便自动打开,以维持
内存中,直到经过V
CC
返回有效的,写保护将无条件使能,防止乱码数据。此外,该
SRAM是无条件写保护,以防止意外的写入操作。此时的积分能量源是
开机维持内存中,直到V后
CC
返回有效。
该HMN328D采用极低的待机电流的CMOS SRAM的,再加上小钮扣锂电池,提供非
波动不长写周期时间,并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间: 70 , 85 , 120 , 150纳秒
w
高密度设计: 256Kbit设计
w
电池内部隔离,直到通电
w
业界标准的28引脚32K ×8引脚排列
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电自动写保护
周期
w
数据掉电时自动保护
w
工业温度操作
引脚分配
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
- 70
- 85
-120
-150
V
CC
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/O
E
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
28引脚密封封装
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年4月)
1
韩光电器有限公司