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HMN4M8DVN-120 参数 Datasheet PDF下载

HMN4M8DVN-120图片预览
型号: HMN4M8DVN-120
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内容描述: 非易失性SRAM模块32兆( 4,096K ×8位) , 40PIN DIP, 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 3.3V]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 182 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMN4M8DV(N)
非易失性SRAM模块32兆( 4,096K ×8位) , 40PIN DIP, 3.3V
产品型号HMN4M8DV (N )
概述
该HMN4M8DV非易失SRAM是由8位, 4,194,304字节的33554432位静态RAM 。
该HMN4M8DV具有自含锂的能量源提供可靠的非-volatility再加上无限的写
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个3.3V电源是否超出OF-周期
宽容的条件。当这种情况发生时,锂电池便自动打开,以维持
内存中,直到经过V
CC
返回有效的,写保护将无条件使能,防止乱码数据。此外,该
SRAM是无条件写保护,以防止意外的写入操作。此时的积分能量源
处于开机状态,以维持T他内存中,直到经过V
CC
返回有效。
该HMN4M8DV采用极低的待机电流的CMOS SRAM的,再加上小钮扣锂电池,提供非 -
波动不长写周期时间,并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间: 55为70ns
w
高密度设计: 32兆
设计
w
电池内部隔离,直到
电源施加
w
业界标准的40引脚4,096K
×8引脚排列
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有
V
CC
w
5年来最低的数据保留
在断电情况下
w
在自动写保护
上电/掉电周期
w
数据被自动保护
断电时
引脚分配
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A
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A
16
A
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0
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1
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8
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/ OE
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0
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2
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40
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NC
36引脚密封封装
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封装选项
- HMN4M8DV
- HMN4M8DVN
- 36引脚DIP封装
- 40引脚DIP封装
40引脚封装的封装
网址: www.hbe.co.kr
1.0版( 2002年5月)
1
韩光电器有限公司