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    HMN4M8DVN-150I 参数 Datasheet PDF下载

    HMN4M8DVN-150I图片预览
    型号： HMN4M8DVN-150I
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非易失性SRAM模块32兆（ 4,096K ×8位） ， 40PIN DIP， 3.3V [Non-Volatile SRAM MODULE 32Mbit (4,096K x 8-Bit), 40Pin-DIP, 3.3V]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 182 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMN4M8DVN-150I的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    - 读周期NO.2 （ / CE访问）
    / CE
    t
    ACE
    t
    CLZ
    D
    OUT
    高-Z
    *1,3,4
    HMN4M8DV(N)
    t
    RC
    t
    CHZ
    高-Z
    - 读周期NO.3 （ / OE访问）
    *1,5
    t
    RC
    地址
    t
    加
    / OE
    t
    OE
    D
    OUT
    t
    OLZ
    高-Z
    t
    OHZ
    数据有效
    高-Z
    注意事项：
    1 / WE保持高电平为读周期。
    2.设备不断选择： / CE = / OE = V
    IL
    .
    3.地址是有效的之前或/ CE过渡低相一致。
    4 / OE = V
    IL
    .
    5.设备不断选择： / CE = V
    IL
    - 写周期NO.1 （ / WE控制）
    *1,2,3
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    t
    CW
    / CE
    t
    AS
    / WE
    t
    DW
    D
    IN
    t
    WZ
    D
    OUT
    数据未定义（ 1 ）
    网址： www.hbe.co.kr
    1.0版（ 2002年5月）
    7
    t
    WR1
    t
    WP
    t
    DH1
    DATA-内有效
    t
    OW
    高-Z
    韩光电器有限公司

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