韩光
HMN5128D
非易失性SRAM模块的4Mbit （ 512K ×8位） ， 32引脚DIP， 5V
产品型号HMN5128D
概述
该HMN5128D非易失SRAM是由8位， 524,288字节， 4,194,304位静态RAM 。
该HMN5128D具有自包含的锂电池提供可靠的非挥发性再加上无限的写
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个5V电源是否超出OF-周期
宽容的条件。当这种情况发生时，锂电池便自动打开，以维持
内存中，直到后的Vcc返回有效，写保护将无条件使能，防止乱码数据。此外，该
SRAM是无条件写保护，以防止意外的写入操作。此时的积分能量源是
开机维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该HMN5128D采用极低的待机电流的CMOS SRAM的，再加上小钮扣锂电池，提供非
波动不长写周期时间，并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间： 70 85120 150纳秒
w
高密度设计： 4Mbit的设计
w
电池内部隔离，直到通电
w
业界标准的32引脚512K ×8引脚排列
w
没有写次数限制
w
数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
w
在上电/掉电自动写保护
周期
w
数据掉电时自动保护
w
传统的SRAM操作;没有写次数限制
A
18
引脚分配
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
17
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/ OE
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32 -PIN密封封装
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
120纳秒
150纳秒
记号
-70
-85
-120
-150
网址： www.hbe.co.kr
修订版0.0 （ 2002年4月）
1
韩光电器有限公司
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
