韩光
HMN5128JV
非易失性SRAM模块的4Mbit （ 512K ×8位） ， 34PIN - JLCC ， 3.3V
产品型号HMN5128JV
概述
该HMN5128JV非易失SRAM是由8位， 524,288字节， 4,194,304位静态RAM 。
该HMN5128JV具有自包含的锂电池提供可靠的非挥发性再加上无限的写
标准SRAM和积分控制电路连续监视单个3.3V电源是否超出OF-周期
宽容的条件。当这种情况发生时，锂电池便自动打开，以维持
内存中，直到后的Vcc返回有效，写保护将无条件使能，防止乱码数据。此外，该
SRAM是无条件写保护，以防止意外的写入操作。此时的积分能量源是
开机维持内存中，直到V后
CC
返回有效。
该HMN5128JV采用极低的待机电流的CMOS SRAM的，再加上小钮扣锂电池，提供非
波动不长写周期时间，并与相关的EEPROM的写入周期限制。
特点
w
访问时间： 70 ， 85纳秒
w
高密度设计： 4Mbit的设计
w
电池内部隔离，直到通电
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行业标准的34针512K ×8引脚排列
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没有写次数限制
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数据保留在没有V的
CC
w
在断电情况下的10年最低数据保留
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在上电/掉电自动写保护
周期
w
数据掉电时自动保护
w
传统的SRAM操作;没有写次数限制
/ BL
A(15)
A(16)
/ RST
VCC
/ WE
/ OE
/ CE
D(7)
D(6)
D(5)
D(4)
D(3)
D(2)
D(1)
D(0)
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
引脚分配
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
A(18)
A(17)
A(14)
A(13)
A(12)
A(11)
A(10)
A(9)
A(8)
A(7)
A(6)
A(5)
A(4)
A(3)
A(2)
A(1)
A(0)
JLCC
顶视图
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
-70
-85
记号
34针封装包
网址： www.hbe.co.kr
Rev.0.0 （2/ 2002）
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
