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HMNR28DV-85I 参数 Datasheet PDF下载

HMNR28DV-85I图片预览
型号: HMNR28DV-85I
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内容描述: 5.0或3.3V , 16K位( 2千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 16K bit (2 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 271 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
写模式
HMNR28D(V)
该HMNR28D (V )是每当/ WE (写使能)和/ CE写模式(芯片使能)是后低的状态
地址输入是稳定的。一撇一开始是从/ WE或/ CE后者发生下降沿引用。一
写的是由/ WE或/ CE较早上升沿终止。该地址必须在整个周期中保持有效。 / CE
或/我们必须返回高最少的t
EHAX
从芯片使能或T
WHAX
从写使能之前的启动
另一种读或写周期。输入数据必须是有效的吨
DVWH
之前写的结尾,并保持有效吨
WHDX
之后。
/ OE应保持高在写周期,以避免总线争用;虽然,如果输出总线已经被激活的
低/ CE和/ OE低开/我们将禁用输出吨
WLQZ
后/ WE下降。
写AC波形,写使能控制的
A0-A10
写AC波形,芯片使能控制
A0-A10
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年3月)
7
韩光电器有限公司。