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HMNR328DV-85 参数 Datasheet PDF下载

HMNR328DV-85图片预览
型号: HMNR328DV-85
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内容描述: 5.0或3.3V , 256K位( 32千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 256K bit (32 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 302 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
电池电量低警告
HMNR328D(V)
该HMNR328D ( V)自动执行上电时,并在工厂编程时电池电压监测
间隔约24小时。电池电量低( BL )位标志,位D4注册7FF0h ,将若断言
电池电压被发现是小于约2.5V 。在BL位将一直保持到电池完成
更换和随后的低电池监测试验,无论是在未来的上电顺序或下
预定24小时间隔。如果电源 - 向上序列中产生电池电量低,
这表明电池是低于约2.5V ,可能不能够维持
在SRAM中数据的完整性。数据应被视为犯罪嫌疑人,并证实是正确的。新电池应安装。
如果在24小时的时间间隔检查过程中所产生的电池电量低显示,这表示电池已接近生命的尽头。
然而,数据不外泄
由于这一事实,即标称V
CC
供给。为了在确保数据的完整性
电源去耦和冲保护
注:我
CC
瞬变,包括生产的产量
切换,可以产生电压波动,从而导致峰值
在V
CC
总线。这些瞬变,如果电容可以降低
用于存储能量用于稳定在V
CC
总线。该
存储在旁路电容器的能量将被释放的低
产生或能量会被吸收当去毛刺
发生过冲。 0.1 uF的陶瓷旁路电容值
建议,以提供所需要的滤波。在
除了瞬变是由正常引起的
SRAM运行,功率自行车可以产生负
在V电压尖峰
CC
驱动它以低于V值
SS
通过为
多达一伏。这些消极的尖峰可能会导致数据
腐败的SRAM ,而在电池备份模式。对
从这些电压尖峰保护, ST建议
连接从V肖特基二极管
CC
到V
SS
(阴极连接到V
CC
,阳极V
SS
) 。 (肖特基二极管1N5817是
推荐用于通孔和MBRS120T3推荐用于表面安装) 。
网址: www.hbe.co.kr
修订版0.0 ( 2002年1月)
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韩光电器有限公司。