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HMNR5128DV-70 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMNR5128DV-70
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内容描述: 5.0或3.3V , 4兆位( 512千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM [5.0 or 3.3V, 4 Mbit (512 Kbit x 8) TIMEKEEPER NVSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 274 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMNR5128D(V)
5.0或3.3V , 4兆位( 512千位×8 ) TIMEKEEPER NVSRAM
产品型号HMNR5128D ( V)
概述
该HMNR5128D (Ⅴ) TIMEKEEPER的SRAM是512KB ×8非易失性静态组织为RAM和实时时钟
524280字由8位。特殊的DIP封装提供了一个完全集成的备用电池内存和实时时钟
的解决方案。该HMNR5128D ( V)直接取代行业标准达512Kbit ×8的SRAM 。它也提供了对非挥发性
不闪就可以进行写操作的次数特别写定时或限制的任何要求。
特点
集成的低功耗SRAM ,实时时钟,掉电控制电路,电池和
水晶
BCD码年份,月份,星期,日期,小时,分钟和秒
自动电源失效芯片DESELECT和写保护的电压:
(V
PFD
=电源故障取消电压)
HMNR5128D : V
CC
= 4.5〜 5.5V
4.2V
V
PFD
4.5V
HMNR5128DV : V
CC
= 3.0〜 3.6V
2.7V
V
PFD
3.0V
传统SRAM操作:没有写次数限制
软件控制的时钟校准针对高精度应用
数据保存和时钟工作在电源引脚和功能的缺失10年
兼容行业标准512K ×8 SRAMS
独立电池和晶体DIP封装
选项
w
定时
70纳秒
85纳秒
记号
-70
-85
引脚分配
A
18
A
16
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
A
15
A
17
/ WE
A
13
A
8
A
9
A
11
/ OE
A
10
/ CE
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32 -PIN密封封装
网址: www.hbe.co.kr
2.0版本( 2002年3月)
1
韩光电器有限公司