韩光
HMNR88D(V)
操作模式
28引脚， 600mil DIP混合设有一个控制芯片， SRAM ，石英晶体，以及长寿命锂锰扣式电池在单
封装。时钟位置包含年，月，日，星期，小时，分钟，和秒以24小时BCD格式。
更正为28 ， 29 （闰年兼容的，直到2100年） ， 30 ，和31天的月均自动进行。字节
1FF8h是时钟控制寄存器。这个字节控制用户对时钟信息的访问并且还存储在时钟
校准设置。七个时钟字节（ 1FFFh的- 1FF9h ）是不实际的时钟计数器，它们是存储单元
由读/写的存储单元的静态RAM阵列内。该HMNR88D （Ⅴ）包括时钟控制电路
该更新时钟字节，每秒一次的最新信息。该信息可以通过在用户可访问的
同样地静态存储器阵列中的任何其他位置。该HMNR88D （ V）也有自己的电源故障检测
电路。此控制电路不断地监视电源电压是否超出容限条件。
当V
CC
是出公差，电路的写保护TIMEKEEPER寄存器数据和SRAM ，提供数据安全
在不可预知的系统运行之中。由于V
CC
跌倒时，控制电路会自动切换到电池，
保持数据和时钟的操作，直到有效恢复供电。
操作模式
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
VCC
4.5V至5.5V
or
3.0V至3.6V
/ CE
VIH
VIL
VIL
VIL
X
/ OE
X
X
VIL
VIH
X
/ WE
X
VIL
VIH
VIH
X
DQ7
–
DQ0
高-Z
DIN
DOUT
高
高
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS
待机
电池后台
up
V
SO
到V
PFD
（分钟）
≤
V
SO
(1)
DESELECT
X
X
X
高
记
：X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=电池备份切换电压。
读取模式
该HMNR88D （ V）在读模式时/ WE （写使能）为高， / CE （片选）低。独特
由15个地址输入指定的地址定义了的32768个字节的数据中的一个将被访问。有效数据
将在数据I /地址的访问时间内，输出引脚（T
AVQV
）后的最后一个地址输入信号是稳定的，
提供/ CE和/ OE访问时间还纳。如果在/ CE和/ OE访问时间得不到满足，有效数据将
芯片使能访问时间的后期（T后可用
ELQV
）或输出启用访问时间（t
GLQV
） 。的状态
8三态数据I / O信号由/ CE和/ OE控制。如果输出为t之前激活
AVQV
中，数据线将
被驱动到一个不确定的状态，直到吨
AVQV
。如果在地址输入改变，而/ CE和/ OE保持活跃，输出
数据有效期为输出数据保持时间（t
AXQX
），但走不定，直到下一个地址的访问。
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（ 2002年4月）
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
