韩光
HMS12832M4G/Z4
SRAM模块512K字节( 128K ×32位) , 64引脚SIMM / ZIP
产品型号HMS12832M4G , HMS12832Z4
概述
该HMS12832M4G / Z4是有组织的(SRAM)含131,072个词语模块高速静态随机存取存储器
在X32位配置。该模块由四个128K ×8的SRAM安装一个64针,单面, FR4印刷电路
板。
PD0和PD1识别模块的密度允许互换使用备用密度,行业标准的模块。四
芯片使能输入( / CE1 , / CE2 , / CE3和/ CE4 )用于独立地使该模块的4个字节。输出使能( / OE )
和写使能( / WE)可以设置存储器的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能( / WE)和芯片使能( / CE)输入端都是低电平。
当/ WE居高不下, / CE和输出使能( / OE )为低电平来实现。
对于可靠性,这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有模块组件可从供电
一个单一的+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
读数
特点
w
访问时间: 10 ,12,15和20ns的
w
高密度512KB的设计
w
高可靠性,高速设计
w
+ 5V单
±0.5V
电源
w
易内存扩展与/ CE和
/ OE功能
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
工业标准引脚
w
FR4 - PCB设计
针
1
2
3
4
5
6
符号
VSS
NC
NC
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
针
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
符号
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
针
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
/CE4
/CE3
NC
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
符号
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
引脚分配
选项标记
w
定时
为8ns访问
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
w
套餐
64引脚的SIMM
64引脚ZIP
M
Z
- 8
-10
-12
-15
-20
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
SIMM
顶视图
网址: www.hbe.co.kr
1.0版(月/ 2002)
1
韩光电器有限公司。