韩光
HMS12832M4V
SRAM模块512K字节（ 128K ×32位） 3.3V ， 64引脚， SIMM
产品型号HMS12832M4V
概述
该HMS12832M4V是组织（ SRAM ）含131,072字模块，高速静态随机存取存储器
一个X32位配置。该模块由四个128K ×8的SRAM安装一个64针，单面， FR4印刷电路
板。
PD0和PD1识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准的模块。四
芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）
和写使能（ / WE）可以设置存储器的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）为低电平来实现。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有模块组件可从供电
一个单一的+ 3.3V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
读数
特点
w
访问时间： 8，10， 12，15和20ns的
w
高密度512KB的设计
w
高可靠性，高速设计
w
+ 3.3V单
±0.3V
电源
w
易内存扩展与/ CE和/ OE功能
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
工业标准引脚
w
FR4 - PCB设计
引脚分配
引脚符号引脚符号引脚符号引脚符号
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS
NC
NC
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
/CE4
/CE3
NC
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
选项
w
定时
为8ns访问
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
w
套餐
64引脚的SIMM
记号
- 8
-10
-12
-15
-20
M
9
10
11
12
13
14
15
16
SIMM
顶视图
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（月/ 2002） 。
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
