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HMS12864F8V-12 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMS12864F8V-12
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内容描述: SRAM模块1M字节( 128K ×64位) , 120引脚SMM , 3.3V [SRAM MODULE 1MByte (128K x 64 bit), 120-Pin SMM, 3.3V]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 82 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HMS12864F8V
SRAM模块1M字节( 128K ×64位) , 120引脚SMM , 3.3V
产品型号HMS12864F8V
概述
该HMS12864F8V是组织( SRAM )含131,072字模块,高速静态随机存取存储器
一个X 64位配置。该模块由四个128K ×8的SRAM安装在一个120针,双面, FR4印刷电路
板。
字节写入使能输入( / WE0 , / WE1 , / WE2 , / WE3 , / WE4 , / WE5 , / WE6 , / WE7 )用于使能所述模块的8位
独立。输出使能( / OE )和写使能( / WE)可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能( / WE)和芯片使能( / CE)输入端都是低电平。
当/ WE居高不下, / CE和输出使能( / OE )为低电平来实现。
对于可靠性,这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有模块组件可从供电
一个单一的+ 3.3V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
读数
引脚分配
P1
P2
符号
VSS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
VSS
A0
A1
A2
A3
A4
VSS
A5
A6
A7
/ CE
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
符号
VCC
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VCC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
A16
A15
A14
A13
A12
VCC
A11
A10
A9
A8
VCC
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
VSS
DQ63
DQ62
DQ61
DQ60
DQ59
DQ58
DQ57
DQ56
VSS
DQ55
DQ54
DQ53
DQ52
DQ51
DQ50
DQ49
DQ48
VSS
NC
NC
/ OE
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
VSS
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
特点
w
访问时间:12, 15和20ns的
w
高密度1Mb的设计
w
高可靠性,高速设计
w
+ 3.3V单
±0.3V
电源
w
易内存扩展与/ CE和
/ OE功能
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
业界标准引脚输出
w
FR4 - PCB设计
选项
w
定时
为8ns访问
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
w
套餐
120针SMM
F
- 8
-10
-12
-15
-20
记号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
符号
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VCC
/WE0
/WE1
/WE2
/WE3
/WE4
VCC
/WE5
/WE6
/WE7
NC
VCC
7
韩光电器有限公司。