韩光
的HAn
双向吨
HMS1M32M8A/Z8A
SRAM模块4Mbyte （ 1M ×32位） ， 64引脚SIMM设计
产品型号
HMS1M32M8A ， HMS1M32Z8A
概述
该HMS1M32M8A是含有1048576字高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
组织在X32位配置。该模块包括八个1M ×4的SRAM安装在一个64引脚，双
双面， FR-4印刷电路板。
四个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
访问次数： 10 ， 12 ， 15 ， 17和20ns的
高密度4MByte设计
高可靠性，高速设计
+ 5V单
±0.5V
电源
易内存扩展与/ CE和/ OE功能
所有的输入和输出为TTL兼容
工业标准引脚
部分鉴定
- HMS1M32M8A ： 64引脚SIMM设计
- HMS1M32Z8A ： 64引脚ZIP设计
→
引脚兼容的HMS1M32M8A
引脚分配
A18
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
/ WE
A14
/CE1
/CE3
A16
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
VSS
A19
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
A15
/CE2
/CE4
A17
/ OE
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
选项
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
记号
-10
-12
-15
-17
-20
M
Z
套餐
64引脚的SIMM
64引脚ZIP
ZIP
顶视图
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
