HMS1M32Z8L-55 参数 Datasheet PDF下载

韩光

HMS1M32M8L

SRAM模块4Mbyte （ 1Mx32Bit ） ，低功耗， 72PIN SIMM ， 5V

产品型号

HMS1M32M8L ， HMS1M32Z8L

概述

该HMS1M32M8L是一个静态随机存取存储器（SRAM）含有组织在一个32倍位1048576位模块

配置。该模块由八个512K ×8的SRAM安装在一个72针，双面， FR-4印刷电路板。

该HMS1M32M8L还支持低数据保持电压为电池具有低的数据保持电流后备操作。八

芯片使能输入（ / CE_UU1 ， / CE_UM1 ， / CE_LM1 ， / CE_LL1 ， / CE_UU2 ， / CE_UM2 ， / CE_LM2 ， / CE_LL2 ）用于使能

该模块的4M独立字节。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。

数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。

当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）为低电平来实现。

对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有模块组件可从供电

一个单一的+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。

读数

特点

w

部分鉴定

- HMS1M32M8L ： SIMM设计

- HMS1M32Z8L ：ZIP设计

两者都是引脚对引脚兼容

w

访问时间： 55ns ， 70ns的

w

高密度4MByte设计

w

高可靠性，低功耗设计

w

+ 5V单

±0.5V

电源

w

低数据保持电压： 2V （最小值）

w

三态输出与TTL兼容

w

FR4 - PCB设计

w

低调72针SIMM

针

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

引脚分配

符号

VSS

A3

A2

A1

A0

VCC

A11

/ OE

A10

VCC

/CE_LL2

/CE_LL1

DQ7

DQ0

DQ1

DQ2

DQ6

DQ5

DQ4

DQ3

A15

A17

/ WE

A13

针

25

26

27

28

29

30

31

32

33

34

35

36

37

38

39

40

41

42

43

44

45

46

47

48

符号

VCC

DQ8

DQ9

DQ10

/CE_LM2

VCC

/CE_LM1

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

DQ11

A18

A16

VSS

A6

VCC

A5

A4

VCC

/CE_UM2

/CE_UM1

DQ23

DQ16

针

49

50

51

52

53

54

55

56

57

58

59

60

61

62

63

64

65

66

67

68

69

70

71

72

符号

DQ17

DQ18

DQ22

DQ21

DQ20

DQ19

VCC

A14

A12

A7

VCC

A8

A9

DQ24

DQ25

DQ26

/CE_UU2

/CE_UU1

DQ31

DQ30

DQ29

DQ28

DQ27

VSS

选项

w

定时

55ns存取

为70ns存取

w

套餐

72引脚的SIMM

72引脚ZIP

记号

-55

-70

M

Z

SIMM

顶视图

网址： www.hbe.co.kr

1.0版（月/ 2002）

1

韩光电器有限公司。