韩光
HMS1M32M8S
的HAn
位
高速SRAM模块4Mbyte （ 1M ×32位）
产品型号
HMS1M32M8S ， HMS1M32Z8S
概述
该HMS1M32M8S是含有1048576字高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
组织在X32位配置。该模块包括八个512K ×8静态存储器安装在一个72引脚，双
双面， FR-4印刷电路板。
该HMS1M32M8S还支持低数据保持电压为电池具有低的数据保留备份操作
电流。八芯片使能输入（ / CE_UU1 ， / CE_UM1 ， / CE_LM1 ， / CE_LL1 ， / CE_UU2 ， / CE_UM2 ， / CE_LM2 ，
/ CE_LL2 ）用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以
设置存储器的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL
特点
部分鉴定
- HMS1M32M8S ： SIMM设计
- HMS1M32Z8S ：ZIP设计
引脚兼容的HMS1M32M8S
VSS
A3
A2
A1
A0
VCC
A11
/ OE
A10
VCC
/CE_LL2
/CE_LL1
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A15
A17
/ WE
A13
VCC
DQ8
DQ9
DQ10
/CE_LM2
VCC
/CE_LM1
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
引脚分配
A18
A16
VSS
A6
VCC
A5
A4
VCC
/CE_UM2
/CE_UM1
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
VCC
A14
A12
A7
VCC
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
/CE_UU2
/CE_UU1
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
访问次数： 10 ， 12 ， 15 ， 17和20ns的
高密度4MByte设计
高可靠性，高速设计
+ 5V单
±0.5V
电源
所有的输入和输出为TTL兼容
FR4 - PCB设计
72引脚的SIMM设计
选项
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
记号
-10
-12
-15
-17
-20
M
套餐
72引脚的SIMM
SIMM
顶视图
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
