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    HMS1M32Z8V-20 参数 Datasheet PDF下载

    HMS1M32Z8V-20图片预览
    型号： HMS1M32Z8V-20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SRAM模块4Mbyte （ 1M ×32位） 3.3V [SRAM MODULE 4Mbyte(1M x 32-Bit) 3.3V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 9 页 / 193 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HMS1M32Z8V-20的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HMS1M32M8V
    输出的相对相位不能被应用，因为总线争用可能发生。
    7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是必须在读和
    写周期。
    8.如果/ CE同时变为低配/ WE变低​​或之后/我们要低，输出保持高阻态。
    9. D
    OUT
    是新的地址的读数据。
    10.当/ CE为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位的输入信号，导致输出
    不宜应用。
    功能说明
    / CE
    H
    L
    L
    L
    / WE
    X*
    H
    H
    L
    / OE
    X
    H
    L
    X
    模式
    不选择
    输出禁用
    读
    写
    I / O引脚
    高-Z
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    电源电流
    l
    SB
    , l
    SB1
    l
    CC
    l
    CC
    l
    CC
    注： X表示不关心
    包装DIMMENSIONS
    SIMM设计
    108.20 mm
    3.18 mm
    牛逼YP （2个）
    16 mm
    6.35 mm
    1
    72
    2.03 mm
    1.02 mm
    6.35 mm
    95.25 mm
    1.27 mm
    3.34 mm
    0.25毫米最大
    2.54 mm
    民
    1.29 mm
    黄金： 1.04 ± 0.10毫米
    1.27
    焊锡： 0.914 ± 0.10毫米
    （焊接&镀金铅）
    韩光电器有限公司。

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