韩光
的HAn
位
HMS25632M8B/Z8B
SRAM模块1M字节（ 256K ×32位） ， 72引脚
产品型号
HMS25632M8B ， HMS25632Z8B
概述
该HMS25632M8B是含有262,144字的高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
组织在X32位配置。该模块包括八个256K ×4的SRAM安装在一个72引脚，双
双面， FR-4印刷电路板。
PD0到PD3识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准
模块。八个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于使能所述模块的4个字节
独立。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
访问时间： 8 ， 10，12 ， 15和20ns的
高密度1Mb的设计
高可靠性高速设计
+ 5V单
±0.5V
电源
易内存扩展/ CE和/ OE功能
所有的输入和输出为TTL兼容
工业标准引脚
FR4 - PCB设计
部分鉴定
- HMS25632M8B ： 72针SIMM设计
- HMS25632Z8B ： 72针ZIP设计
→
与HMS25632M8B引脚兼容
NC
NC
PD2
PD3
VSS
PD0
PD1
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
引脚分配
/CE4
/CE3
A17
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
NC
NC
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
选项
定时
10
n
S访问
12
n
S访问
15
n
S访问
20
n
S访问
记号
-10
-12
-15
-20
M
Z
套餐
72引脚的SIMM
72引脚ZIP
PD0 = VSS
72-Pin
SIMM
PD1 = VSS
PD2 =打开
顶视图
PD3 =打开
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
