韩光
HMS25632M8G/Z8
的HAn
位
SRAM模块1M字节（ 256K ×32位）
产品型号
HMS25632M8 ， HMS25632Z8
概述
该HMS25632M8G / Z8是（SRAM）模块包含262,144高速静态随机存取存储器
也就是说组织在X32位配置。该模块包括八个256K ×4的SRAM安装在一个64引脚，
双面， FR-4印刷电路板。
PD0和PD1识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准
模块。四个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于使能所述模块的4个字节
独立。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
部分鉴定
-HMS25632M8G ： 64引脚SIMM设计，镀金铅
-HMS25632Z8 ： 64引脚ZIP设计
→
引脚兼容的HMS25632M8G
PD0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
/ WE
A14
/CE1
/CE3
A16
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
A10
A11
A12
A13
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
引脚分配
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
VSS
PD1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
A15
/CE2
/CE4
A17
/ OE
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
A3
A4
A5
VCC
A6
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
访问时间：8， 10，12， 15and 20ns的
高密度1Mb的设计
高可靠性，高速设计
+ 5V单
±0.5V
电源
易内存扩展与/ CE和/ OE功能
所有的输入和输出为TTL兼容
工业标准引脚
选项
定时
为8ns访问
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
记号
- 8
-10
-12
-15
-20
M
Z
套餐
64引脚的SIMM
64引脚ZIP
ZIP
顶视图
PD0 = VSS
PD1 = VSS
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
