韩光
HMS2M32M16V/Z16V
SRAM模块现象8字节（ 2M ×32位） ， 3.3V 72引脚SIMM设计
产品型号
HMS2M32M16V ， HMS2M32Z16V
概述
该HMS2M32M16V / Z16V是含有2097152字高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
组织在X32位配置。该模块包括16个1M ×4的SRAM安装在一个72针，双面， FR4-
印刷电路板。
PD0到PD3识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准的模块。四
芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）
和写使能（ / WE）可以设置存储器的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）为低电平来实现。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有模块组件可从供电
一个单一的+ 3.3V直流电源和所有输入和输出完全LVTTL兼容。
读数
特点
w
访问次数： 10 ， 12 ， 15 ， 17和20ns的
w
高密度的现象8字节的设计
w
高可靠性，高速设计
w
+ 3.3V单
±10%
电源
w
易内存扩展/ CE和/ OE功能
w
所有输入和输出都是LVTTL兼容
w
工业标准引脚
w
FR4 - PCB设计
w
薄型72脚
w
部分鉴定
- HMS2M32M16V ： SIMM设计，金铅
- HMS2M32Z16V ：ZIP设计，焊针引线
（在这两个引脚对引脚兼容）
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
-10
-12
-15
-17
-20
M
Z
16
17
18
19
20
21
22
23
24
符号
VCC
NC
VSS
NC
VSS
NC
VSS
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
引脚分配
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
/CE4
/CE3
A17
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A18
A19
NC
VCC
选项
w
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
w
套餐
72引脚的SIMM
72引脚ZIP
记号
72 -PIN SIMM TOP VIEW
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（月/ 2002）
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
