韩光
的HAn
双向吨
SRAM模块768KBit （ 32K ×24位）
产品型号
HMS3224M3/Z3
HMS3224M3 ， HMS3224Z3
概述
该HMS3224M3 / Z 3为含有32768个词语高速静态随机存取存储器（SRAM）模块
组织在X24位配置。该模块由安装在一个56引脚3 32K ×8的SRAM ，单
双面， FR-4印刷电路板。
向设备写入数据时，芯片使能（ / CE）和写使能（ / WE）输入都很低完成。
该装置的输入/输出管脚的数据（ DQ0通过DQ23 ）被写入到指定的存储单元
上的地址引脚（A0至A14 ） 。
读取装置是通过将芯片来实现使能（ / CE）和输出使能（ / OE ）低，而写
使能（ / WE）仍然很高。在这些条件下，所述存储器单元的内容上的地址所指定
销将出现在输入/输出管脚。
在输入/输出引脚保持在高阻抗状态，除非该模块被选择时，输出被使能，并
写使能高。
引脚分配
特点
访问时间：12， 15和20ns的
高密度768Kbit设计
高可靠性，高速设计
+ 5V单
±0.5V
电源
56引脚，低电平有效功耗设计
所有的输入和输出为TTL兼容
工业标准引脚
FR4 - PCB设计
部分鉴定
HMS3224M3 ： 56Pin的SIMM设计
HMS3224Z3 ： 56Pin ZIP设计
→引脚兼容
与HMS3224M3
VCC
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VSS
A1
A3
A5
A7
NC
VSS
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
NC
/ OE
A9
A11
A13
NC
VSS
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
VCC
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
VCC
DQ0
DQ2
DQ4
DQ6
VSS
A0
A2
A4
A6
/ CE
NC
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSS
/ WE
A8
A10
A12
A14
VSS
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
VCC
选项
定时
为12ns存取
15ns的访问
20ns的访问
记号
-12
-15
-20
M
Z
套餐
56针SIMM
56引脚ZIP
ZIP
顶视图
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
