韩光
SRAM模块现象8字节（ 4M ×16位）， 80引脚SMM 5V
产品型号
HMS4M16F16G
HMS4M16F16G
概述
该HMS4M16F16G是有组织的（SRAM）含有4194304字模块高速静态随机存取存储器
在X16位配置。该模块由16 1M ×4的SRAM的TSOP封装被安装在一个80针，双
双面， FR-4印刷电路板。该HMS4M16F16是SMM （可堆叠存储器模块）的设计和面向
装成两个40针连接器插座。
两个译码器用来选择芯片和用于独立地使该模块的4个字节。输出使能（ / OE ）和
写使能（ / WE）可以设置存储器的输入和输出。数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和
芯片使能（ / CE ）输入都很低。当/ WE居高不下， / CE和输出使能读完成（ / OE ）
是低的。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可供电
从单一的+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
w
访问次数： 10 ， 12 ， 15 ， 17和20ns的
w
高可靠性，高速设计
w
易内存扩展/ CE和/ OE功能
w
全静态工作 - 无时钟或刷新要求
w
FR4 - PCB设计
w
高密度的现象8字节的设计
w
+ 5V单
±10%
电源
w
所有的输入和输出为TTL兼容
w
工业标准引脚
引脚分配
40针连接器P1
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
VCC
A0
A1
A2
A3
A4
VSS
A5
A6
A7
A8
A9
A10
VSS
A11
A12
A13
A14
A15
VCC
针
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
符号
VCC
A16
A17
A18
A19
A20
VSS
A21
FLOOR_CTRL3
FLOOR_CTRL1
NC
FLOOR_CTRL2
/CS0
/CS1
/ OE
/WE0
/WE1
NC
NC
VCC
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
40针连接器P2
符号
VCC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
VSS
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
VSS
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VCC
针
21
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35
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38
39
40
符号
VCC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
NC
VSS
NC
NC
NC
NC
NC
VCC
SMM TOP VIEW
网址： www.hbe.co.kr
1.0版（月/ 2002）
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
