韩光
的HAn
位
HMS4M16M16G
SRAM模块现象8字节（ 4M ×16位）
产品型号
HMS4M16M16G
概述
该HMS4M16M16G是（SRAM）模块含有2097152高速静态随机存取存储器
也就是说组织4M X16位配置。该模块包括16个1M ×4的SRAM安装在72-
销，双面， FR-4印刷电路板。
八个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于独立地使该模块的4个字节。
输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
访问次数： 10 ， 12 ， 15 ， 17和20ns的
高密度的现象8字节的设计
高可靠性，高速设计
+ 5V单
±10%
电源
易内存扩展/ CE和/ OE功能
所有的输入和输出为TTL兼容
工业标准引脚
FR4 - PCB设计
薄型72脚
部分鉴定
- HMS2M16M8G ： SIMM设计，金
NC
NC
NC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
A7
A8
A9
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
/ WE
A14
/CE1
/CE3
A16
VSS
NC
NC
NC
NC
A10
A11
A12
A13
NC
NC
NC
NC
VSS
A19
A20
引脚分配
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
VCC
NC
VSS
NC
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
A0
A1
A2
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
A15
/CE2
/CE4
A17
/ OE
NC
NC
NC
NC
A3
A4
A5
VCC
A6
NC
NC
NC
NC
A18
选项
定时
10ns的访问
为12ns存取
15ns的访问
为17ns存取
20ns的访问
记号
-10
-12
-15
-17
-20
M
套餐
72引脚的SIMM
VCC
SIMM / ZIP
顶视图
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
