韩光
HMS51232M4L
的HAn
双向吨
SRAM模块2Mbyte （ 512K ×32位） ，
SIMM 5V
产品型号
低功耗， 72针
HMS51232M4L
概述
该HMS51232M4L是组织（SRAM）含524,288个词语模块静态随机存取存储器
一个X32位配置。该模块包括四个512K ×8的SRAM安装在一个72针，单面， FR4-
印刷电路板。
该HMS51232M4L还支持低数据保持电压为电池具有低的数据保留备份操作
电流。四个芯片使能输入（ / CE_UU1 ， / CE_UM1 ， / CE_LM1和/ CE_LL1 ）用于使能所述模块的
4个字节独立。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
动力从单一+ 5V直流电源和所有输入和输出完全兼容TTL 。
特点
访问时间： 55为70ns
高密度2MByte设计
高可靠性，低功耗设计
+ 5V单
±0.5V
电源
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
FR4 - PCB设计
低调72针SIMM
VSS
A3
A2
A1
A0
VCC
A11
/ OE
A10
VCC
NC
/CE_LL1
DQ7
DQ0
DQ1
DQ2
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A15
A17
/ WE
A13
VCC
DQ8
DQ9
DQ10
NC
VCC
/CE_LM1
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
引脚分配
A18
A16
VSS
A6
VCC
A5
A4
VCC
NC
/CE_UM1
DQ23
DQ16
DQ17
DQ18
DQ22
DQ21
DQ20
DQ19
VCC
A14
A12
A7
VCC
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
NC
/CE_UU1
DQ31
DQ30
DQ29
DQ28
DQ27
VSS
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
选项
定时
55ns存取
为70ns存取
记号
-55
-70
M
套餐
72引脚的SIMM
72引脚的SIMM
顶视图
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
