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    HMS51232Z4L-20 参数 Datasheet PDF下载

    HMS51232Z4L-20图片预览
    型号： HMS51232Z4L-20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SRAM模块2Mbyte （ 512K ×32位） ，低功耗， 72引脚SIMM 5V [SRAM MODULE 2Mbyte (512K x 32-Bit), LOW POWER, 72-Pin SIMM 5V]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 393 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HMS51232Z4L-20的Datasheet PDF文件第10页  
    韩光
    HMS51232M4L
    写周期时序波形
    （ /我们控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    t
    WR(5)
    / OE
    t
    CW(3)
    / CE
    t
    AS(4)
    t
    WP(2)
    / WE
    t
    DW
    t
    DH
    高-Z
    数据有效
    t
    OHZ
    t
    OW
    高-Z
    DATA IN
    数据输出
    写周期时序波形
    （ / CE控制）
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    t
    CW(3)
    t
    WR(5)
    / CE
    t
    AS(4)
    / WE
    t
    WP(2)
    t
    DW
    t
    DH
    数据有效
    DATA IN
    数据输出
    高-Z
    笔记
    （写周期）
    1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
    2.低/ CE的重叠和低/我们在写操作发生。写在开始之间的过渡最新
    / CE变低和/ WE变低​​：在中/ CE将高/我们要高最早的转变写入结束。
    t
    WP
    从写入的开始写的末端测量。
    3. t
    CW
    从/ CE后期会低到写结束时开始算起。
    7
    韩光电器有限公司。

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