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位
HMS51232M4V/Z4V
SRAM模块2Mbyte （ 512K ×32位） ， 3.3V
产品型号
HMS51232M4V ， HMS51232Z4V
概述
该HMS51232M4V / Z4V是（SRAM）模块包含524,288高速静态随机存取存储器
也就是说组织在X32位配置。该模块由四个512K ×8的SRAM安装在一个72引脚，
单面， FR-4印刷电路板。
PD0到PD3识别模块的密度允许互换使用备用密度，行业标准
模块。四个芯片使能输入（ / CE1 ， / CE2 ， / CE3和/ CE4 ）用于使能所述模块的4个字节
独立。输出使能（ / OE ）和写使能（ / WE）可以设置内存的输入和输出。
数据被写入到SRAM存储器当写使能（ / WE）和芯片使能（ / CE）输入端都是低电平。
当/ WE居高不下， / CE和输出使能（ / OE ）的低读数完成。
对于可靠性，这SRAM模块被设计为多个电源和接地引脚。所有的模块组件可
供电采用+ 3.3V的直流电源和所有输入和输出完全LVTTL兼容。
特点
访问时间：10， 12和15ns的
高密度2MByte设计
高可靠性，高速设计
+ 3.3V单
±0.3V
电源
易内存扩展/ CE和/ OE功能
所有输入和输出都是LVTTL兼容
工业标准引脚
FR4 - PCB设计
部分鉴定
- HMS51232M4V ： SIMM设计
- HMS51232Z4V ：ZIP设计
→
与HMS51232M4V引脚兼容
NC
NC
PD2
PD3
VSS
PD0
PD1
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
VCC
A0
A7
A1
A8
A2
A9
DQ12
DQ4
DQ13
DQ5
DQ14
DQ6
DQ15
DQ7
VSS
/ WE
A15
A14
/CE2
/CE1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
引脚分配
/CE4
/CE3
A17
A16
/ OE
VSS
DQ24
DQ16
DQ25
DQ17
DQ26
DQ18
DQ27
DQ19
A3
A10
A4
A11
A5
A12
VCC
A13
A6
DQ20
DQ28
DQ21
DQ29
DQ22
DQ30
DQ23
DQ31
VSS
A18
NC
NC
NC
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
选项
定时
10ns的访问
记号
-10
为12ns存取
15ns的访问
-12
-15
M
Z
套餐
72引脚的SIMM
72引脚ZIP
72-Pin
SIMM
顶视图
PD0 =打开
PD1 =打开
PD2 =打开
PD3 = VSS
韩光电器有限公司。
1
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
